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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFI9630G
IRFI9630G Image
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IRFI9630G - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFI9630G
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFI9630G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Datenblatt
Power MOSFET.pdf
vorrätig: 4140

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Spezifikation

IRFI9630G Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFI9630G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFI9630G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 35W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.3A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFI9630  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFI9630G.

Produkteigenschaften IRFI9630G IRFI9540G IRFI9620GPBF IRFI9Z14GPBF
Artikelnummer IRFI9630G IRFI9540G IRFI9620GPBF IRFI9Z14GPBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 340 pF @ 15 V 270 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.3A (Tc) 11A (Tc) 3A (Tc) 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2.6A, 10V 200mOhm @ 6.6A, 10V 1.5Ohm @ 1.8A, 10V 500mOhm @ 3.2A, 10V
Grundproduktnummer IRFI9630 IRFI9540 IRFI9620 IRFI9
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Verlustleistung (max) 35W (Tc) 48W (Tc) 30W (Tc) 27W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 100 V 200 V 60 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

IRFI9630G Datenblatt PDF

Laden Sie IRFI9630G PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFI9630G - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
Power MOSFET.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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