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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFL9110PBF
IRFL9110PBF Image
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IRFL9110PBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFL9110PBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFL9110PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
IRFL9110.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4030

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Anzahl

Spezifikation

IRFL9110PBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFL9110PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFL9110PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 660mA, 10V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.1A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFL9110  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFL9110PBF.

Produkteigenschaften IRFL9110PBF IRFL9014TRPBF IRFL9110TR IRFL9014PBF
Artikelnummer IRFL9110PBF IRFL9014TRPBF IRFL9110TR IRFL9014PBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Supplier Device-Gehäuse SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.1A (Tc) 1.8A (Tc) 1.1A (Tc) 1.8A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 660mA, 10V 500mOhm @ 1.1A, 10V 1.2Ohm @ 660mA, 10V 500mOhm @ 1.1A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Grundproduktnummer IRFL9110 IRFL9014 IRFL9110 IRFL9014
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 60 V 100 V 60 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

IRFL9110PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFL9110PBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFL9110PBF - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRFL9110.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
SOT-223 Tube Package 02/Jul/2015.pdf
PCN -Teilstatusänderung
Mult Tube Dev OBS 2/Jul/2015.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
32D-IRFL9110PBF

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