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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFP350LC
IRFP350LC Image
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IRFP350LC - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFP350LC
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFP350LC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IRFP350LC.pdf
vorrätig: 3680

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Anzahl

Spezifikation

IRFP350LC Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFP350LC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFP350LC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 9.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 190W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFP350  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFP350LC.

Produkteigenschaften IRFP350LC IRFP360PBF IRFP344 IRFP340PBF
Artikelnummer IRFP350LC IRFP360PBF IRFP344 IRFP340PBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc) 23A (Tc) 9.5A (Tc) 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 9.6A, 10V 200mOhm @ 14A, 10V 630mOhm @ 5.7A, 10V 550mOhm @ 6.6A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 190W (Tc) 280W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Grundproduktnummer IRFP350 IRFP360 IRFP344 IRFP340
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 400 V 450 V 400 V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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IRFP350LC

Vishay Siliconix
32D-IRFP350LC

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