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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFPE50
IRFPE50 Image
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IRFPE50 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFPE50
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFPE50
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IRFPE50.pdf
vorrätig: 4240

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Anzahl

Spezifikation

IRFPE50 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFPE50 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFPE50

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 4.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 190W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.8A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFPE50  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFPE50.

Produkteigenschaften IRFPE50 IRFPE40PBF IRFPC60LCPBF IRFPC50PBF
Artikelnummer IRFPE50 IRFPE40PBF IRFPC60LCPBF IRFPC50PBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 800 V 600 V 600 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.8A (Tc) 5.4A (Tc) 16A (Tc) 11A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Verlustleistung (max) 190W (Tc) 150W (Tc) 280W (Tc) 180W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 2700 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 4.7A, 10V 2Ohm @ 3.2A, 10V 400mOhm @ 9.6A, 10V 600mOhm @ 6A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer IRFPE50 IRFPE40 IRFPC60 IRFPC50
Serie - - - -

IRFPE50 Datenblatt PDF

Laden Sie IRFPE50 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFPE50 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf
Datenblätter
IRFPE50.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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IRFPE50

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