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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFPS38N60LPBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFPS38N60LPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFPS38N60LPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFPS38N60LPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-274AA
Datenblatt
IRFPS38N60LPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4080

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Anzahl

Spezifikation

IRFPS38N60LPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFPS38N60LPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFPS38N60LPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SUPER-247™ (TO-274AA)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 23A, 10V  
Verlustleistung (max) 540W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-274AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7990 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 320 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFPS38  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFPS38N60LPBF.

Produkteigenschaften IRFPS38N60LPBF IRFPS38N60L IRFPS40N50L IRFPS37N50APBF
Artikelnummer IRFPS38N60LPBF IRFPS38N60L IRFPS40N50L IRFPS37N50APBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7990 pF @ 25 V 7990 pF @ 25 V 8110 pF @ 25 V 5579 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 23A, 10V 150mOhm @ 23A, 10V 100mOhm @ 28A, 10V 130mOhm @ 22A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 540W (Tc) 540W (Tc) 540W (Tc) 446W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 500 V 500 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc) 38A (Tc) 46A (Tc) 36A (Tc)
Serie - - - HEXFET®
Grundproduktnummer IRFPS38 IRFPS38 IRFPS40 IRFPS37
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-274AA TO-274AA TO-274AA TO-274AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 320 nC @ 10 V 320 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse SUPER-247™ (TO-274AA) SUPER-247™ (TO-274AA) SUPER-247™ (TO-274AA) SUPER-247™ (TO-274AA)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Tube

IRFPS38N60LPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFPS38N60LPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFPS38N60LPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mold Compounds 25/Feb/2016.pdf
PCN Andere
Assembly/Obs 22/Sep/2020.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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