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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFR420TRPBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFR420TRPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFR420TRPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR420TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR420, IRFU420, SiHFR420, SiHFU420.pdf
RoHS Status
vorrätig: 51220

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Spezifikation

IRFR420TRPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFR420TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFR420TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.4A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFR420  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFR420TRPBF.

Produkteigenschaften IRFR420TRPBF IRFR430BTF IRFR420TR IRFR420ATRPBF
Artikelnummer IRFR420TRPBF IRFR430BTF IRFR420TR IRFR420ATRPBF
Hersteller Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse D-Pak TO-252-3 (DPAK) D-Pak D-Pak
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.4A (Tc) 3.5A (Tc) 2.4A (Tc) 3.3A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Grundproduktnummer IRFR420 - IRFR420 IRFR420
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 83W (Tc)
Serie - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.4A, 10V 1.5Ohm @ 1.75A, 10V 3Ohm @ 1.4A, 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V 1050 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 340 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRFR420TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFR420TRPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFR420TRPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Reel Design Change 29/Dec/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices 25/May/2018.pdf
Datenblätter
IRFR420, IRFU420, SiHFR420, SiHFU420.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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