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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFR9310
Vishay Siliconix
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IRFR9310 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFR9310
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR9310
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR9310, IRFU9310, SiHFR9310, SiHFU9310.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 4280

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Spezifikation

IRFR9310 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFR9310 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFR9310

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 1.1A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.8A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFR9310  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status RoHS nicht konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFR9310.

Produkteigenschaften IRFR9310 IRFR9310TRLPBF IRFR9310TR IRFR9N20DPBF
Artikelnummer IRFR9310 IRFR9310TRLPBF IRFR9310TR IRFR9N20DPBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 50W (Tc) 50W (Tc) 86W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 400 V 400 V 200 V
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V 560 pF @ 25 V
Grundproduktnummer IRFR9310 IRFR9310 IRFR9310 -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 1.1A, 10V 7Ohm @ 1.1A, 10V 7Ohm @ 1.1A, 10V 380mOhm @ 5.6A, 10V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.8A (Tc) 1.8A (Tc) 1.8A (Tc) 9.4A (Tc)
Serie - - - HEXFET®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel

IRFR9310 Datenblatt PDF

Laden Sie IRFR9310 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFR9310 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRFR9310, IRFU9310, SiHFR9310, SiHFU9310.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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