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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFZ24STRLPBF
IRFZ24STRLPBF Image
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IRFZ24STRLPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFZ24STRLPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFZ24STRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRFZ24STRLPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 29071

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Anzahl

Spezifikation

IRFZ24STRLPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFZ24STRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFZ24STRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFZ24  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFZ24STRLPBF.

Produkteigenschaften IRFZ24STRLPBF IRFZ24SPBF IRFZ34 IRFZ24NSTRLPBF
Artikelnummer IRFZ24STRLPBF IRFZ24SPBF IRFZ34 IRFZ24NSTRLPBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
Serie - - - HEXFET®
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 55 V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc) 17A (Tc) 30A (Tc) 17A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IRFZ24 IRFZ24 IRFZ34 -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 370 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 10V 100mOhm @ 10A, 10V 50mOhm @ 18A, 10V 70mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 60W (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) 88W (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-263 (D²Pak) TO-220AB D2PAK
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

IRFZ24STRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFZ24STRLPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFZ24STRLPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFZ24STRLPBF

Vishay Siliconix
32D-IRFZ24STRLPBF

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