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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFZ44RPBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFZ44RPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFZ44RPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFZ44RPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRFZ44RPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 24188

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Anzahl

Spezifikation

IRFZ44RPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFZ44RPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFZ44RPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 31A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFZ44  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFZ44RPBF.

Produkteigenschaften IRFZ44RPBF IRFZ44S IRFZ44STRRPBF IRFZ44PBF
Artikelnummer IRFZ44RPBF IRFZ44S IRFZ44STRRPBF IRFZ44PBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-220AB
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc) 150W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 31A, 10V 28mOhm @ 31A, 10V 28mOhm @ 31A, 10V 28mOhm @ 31A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IRFZ44 IRFZ44 IRFZ44 IRFZ44
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

IRFZ44RPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFZ44RPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFZ44RPBF - Vishay Siliconix herunter.

Andere verwandte Dokumente
Packaging Information.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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