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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLIZ14G
IRLIZ14G Image
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IRLIZ14G - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRLIZ14G
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRLIZ14G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Datenblatt
IRLIZ14G.pdf
vorrätig: 4950

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Anzahl

Spezifikation

IRLIZ14G Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRLIZ14G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRLIZ14G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 4.8A, 5V  
Verlustleistung (max) 27W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLIZ14  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRLIZ14G.

Produkteigenschaften IRLIZ14G IRLI620G IRLIZ34N IRLI540NPBF
Artikelnummer IRLIZ14G IRLI620G IRLIZ34N IRLI540NPBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies International Rectifier
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 200 V 55 V 100 V
Vgs (Max) ±10V ±10V ±16V ±16V
Paket Tube Tube Tube Bulk
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V 16 nC @ 10 V 25 nC @ 5 V 74 nC @ 5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc) 4A (Tc) 22A (Tc) 23A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Verlustleistung (max) 27W (Tc) 30W (Tc) 37W (Tc) 54W (Tc)
Serie - - HEXFET® HEXFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 10V 4V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 4.8A, 5V 800mOhm @ 2.4A, 5V 35mOhm @ 12A, 10V 44mOhm @ 12A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 PG-TO220-FP TO-220AB Full-Pak
Grundproduktnummer IRLIZ14 IRLI620 - -

IRLIZ14G Datenblatt PDF

Laden Sie IRLIZ14G PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRLIZ14G - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRLIZ14G.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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