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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLZ34PBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRLZ34PBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRLZ34PBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRLZ34PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRLZ34.pdf
RoHS Status
vorrätig: 35470

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Anzahl

Spezifikation

IRLZ34PBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRLZ34PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRLZ34PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 18A, 5V  
Verlustleistung (max) 88W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLZ34  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRLZ34PBF.

Produkteigenschaften IRLZ34PBF IRLZ44NSPBF IRLZ44 IRLZ44NPBF
Artikelnummer IRLZ34PBF IRLZ44NSPBF IRLZ44 IRLZ44NPBF
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK TO-220AB TO-220AB
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 10V 4V, 5V 4V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 47A (Tc) 50A (Tc) 47A (Tc)
Grundproduktnummer IRLZ34 - IRLZ44 IRLZ44
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 18A, 5V 22mOhm @ 25A, 10V 28mOhm @ 31A, 5V 22mOhm @ 25A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V 66 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 55 V 60 V 55 V
Vgs (Max) ±10V ±16V ±10V ±16V
Verlustleistung (max) 88W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 150W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Serie - HEXFET® - HEXFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRLZ34PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLZ34PBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRLZ34PBF - Vishay Siliconix herunter.

Andere verwandte Dokumente
Packaging Information.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019.pdf
Datenblätter
IRLZ34.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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