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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI1028X-T1-GE3
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Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI1028X-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI1028X-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI1028X-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V SC89-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
SI1028X-T1-GE3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3600

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Anzahl

Spezifikation

SI1028X-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI1028X-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI1028X-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-89 (SOT-563F)  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 500mA, 10V  
Leistung - max 220mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C -  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI1028  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI1028X-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI1028X-T1-GE3 SI1026X-T1-GE3 SI1024X-T1-GE3 SI1025X-T1-E3
Artikelnummer SI1028X-T1-GE3 SI1026X-T1-GE3 SI1024X-T1-GE3 SI1025X-T1-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 500mA, 10V 1.4Ohm @ 500mA, 10V 700mOhm @ 600mA, 4.5V 4Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device-Gehäuse SC-89 (SOT-563F) SC-89 (SOT-563F) SC-89 (SOT-563F) SC-89 (SOT-563F)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V 0.6nC @ 4.5V 0.75nC @ 4.5V 1.7nC @ 15V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - 305mA 485mA 190mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 60V 20V 60V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer SI1028 SI1026 SI1024 SI1025
Leistung - max 220mW 250mW 250mW 250mW
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie TrenchFET® - TrenchFET® TrenchFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 15V 30pF @ 25V - 23pF @ 25V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 900mV @ 250µA 3V @ 250µA

SI1028X-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI1028X-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI1028X-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018.pdf
Datenblätter
SI1028X-T1-GE3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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Vishay Siliconix
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