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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI1046R-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI1046R-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI1046R-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI1046R-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V SC75A
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-75, SOT-416
Datenblatt
SI1046R.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4220

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Anzahl

Spezifikation

SI1046R-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI1046R-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI1046R-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-75A  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 606mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 250mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 66 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.49 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 606mA ( Ta)  
Grundproduktnummer SI1046  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI1046R-T1-E3.

Produkteigenschaften SI1046R-T1-E3 SI1062X-T1-GE3 SI1039X-T1-E3 SI1058X-T1-GE3
Artikelnummer SI1046R-T1-E3 SI1062X-T1-GE3 SI1039X-T1-E3 SI1058X-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.49 nC @ 5 V 2.7 nC @ 8 V 6 nC @ 4.5 V 5.9 nC @ 5 V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Grundproduktnummer SI1046 SI1062 SI1039 SI1058
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 12 V 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 606mA, 4.5V 420mOhm @ 500mA, 4.5V 165mOhm @ 870mA, 4.5V 91mOhm @ 1.3A, 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 66 pF @ 10 V 43 pF @ 10 V - 380 pF @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 606mA ( Ta) 530mA (Ta) 870mA (Ta) 1.3A (Ta)
Verlustleistung (max) 250mW (Ta) 220mW (Ta) 170mW (Ta) 236mW (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±12V
VGS (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA 1V @ 250µA 450mV @ 250µA (Min) 1.55V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse SC-75A SC-89-3 SC-89 (SOT-563F) SC-89 (SOT-563F)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416 SC-89, SOT-490 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

SI1046R-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI1046R-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI1046R-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
Datenblätter
SI1046R.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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