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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI1401EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
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SI1401EDH-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI1401EDH-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI1401EDH-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 4A SC70-6
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
SI1401EDH-T1-GE3.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 278440

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Spezifikation

SI1401EDH-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI1401EDH-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI1401EDH-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-70-6  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 5.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 8 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)  
Grundproduktnummer SI1401  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI1401EDH-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI1401EDH-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 SI1330EDL-T1-GE3 SI1403BDL-T1-E3
Artikelnummer SI1401EDH-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 SI1330EDL-T1-GE3 SI1403BDL-T1-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V 30 V 60 V 20 V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 8 V 4.1 nC @ 10 V 0.6 nC @ 4.5 V 4.5 nC @ 4.5 V
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) 400mW (Ta), 500mW (Tc) 280mW (Ta) 568mW (Ta)
Supplier Device-Gehäuse SC-70-6 SC-70-3 SC-70-3 SC-70-6
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 2.5V, 10V 3V, 10V 2.5V, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 5.5A, 4.5V 132mOhm @ 1.4A, 10V 2.5Ohm @ 250mA, 10V 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc) 1.4A (Tc) 240mA (Ta) 1.4A (Ta)
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Grundproduktnummer SI1401 SI1308 SI1330 SI1403
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V ±12V ±20V ±12V

SI1401EDH-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI1401EDH-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI1401EDH-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Addition 22/Jun/2015.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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