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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI1413EDH-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI1413EDH-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI1413EDH-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI1413EDH-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
SI1413EDH.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4860

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Anzahl

Spezifikation

SI1413EDH-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI1413EDH-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI1413EDH-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 450mV @ 100µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-70-6  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 2.9A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A (Ta)  
Grundproduktnummer SI1413  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI1413EDH-T1-E3.

Produkteigenschaften SI1413EDH-T1-E3 SI1411DH-T1-GE3 SI1422DH-T1-GE3 SI1406DH-T1-GE3
Artikelnummer SI1413EDH-T1-E3 SI1411DH-T1-GE3 SI1422DH-T1-GE3 SI1406DH-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±12V ±20V ±8V ±8V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 10V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer SI1413 SI1411 SI1422 SI1406
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V 6.3 nC @ 10 V 20 nC @ 8 V 7.5 nC @ 4.5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A (Ta) 420mA (Ta) 4A (Tc) 3.1A (Ta)
Verlustleistung (max) 1W (Ta) 1W (Ta) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) 1W (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 450mV @ 100µA (Min) 4.5V @ 100µA 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 2.9A, 4.5V 2.6Ohm @ 500mA, 10V 26mOhm @ 5.1A, 4.5V 65mOhm @ 3.9A, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 150 V 12 V 20 V
Supplier Device-Gehäuse SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

SI1413EDH-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI1413EDH-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI1413EDH-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013.pdf
Datenblätter
SI1413EDH.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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