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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI1902CDL-T1-BE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI1902CDL-T1-BE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI1902CDL-T1-BE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI1902CDL-T1-BE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
Si1902CDL.pdf
vorrätig: 232580

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Spezifikation

SI1902CDL-T1-BE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI1902CDL-T1-BE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI1902CDL-T1-BE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-70-6  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 1A, 4.5V  
Leistung - max 300mW (Ta), 420mW (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 62pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Ta), 1.1A (Tc)  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI1902  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI1902CDL-T1-BE3.

Produkteigenschaften SI1902CDL-T1-BE3 SI1900DL-T1-E3 SI1900DL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3
Artikelnummer SI1902CDL-T1-BE3 SI1900DL-T1-E3 SI1900DL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Ta), 1.1A (Tc) 590mA 630mA (Ta), 590mA (Ta) 1.1A
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 10V 1.4nC @ 10V 1.4nC @ 10V 3nC @ 10V
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device-Gehäuse SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 1A, 4.5V 480mOhm @ 590mA, 10V 480mOhm @ 590mA, 10V 235mOhm @ 1A, 4.5V
Leistung - max 300mW (Ta), 420mW (Tc) 270mW 300mW, 270mW 420mW
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V 30V 20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 62pF @ 10V - - 62pF @ 10V
Grundproduktnummer SI1902 SI1900 SI1900 SI1902
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - Logic Level Gate - Logic Level Gate

SI1902CDL-T1-BE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI1902CDL-T1-BE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI1902CDL-T1-BE3 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
Datenblätter
Si1902CDL.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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