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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI1922EDH-T1-BE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI1922EDH-T1-BE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI1922EDH-T1-BE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI1922EDH-T1-BE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
Si1922EDH.pdf
vorrätig: 254660

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Spezifikation

SI1922EDH-T1-BE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI1922EDH-T1-BE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI1922EDH-T1-BE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-70-6  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 198mOhm @ 1A, 4.5V  
Leistung - max 740mW (Ta), 1.25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 8V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.3A (Ta), 1.3A (Tc)  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI1922  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI1922EDH-T1-BE3.

Produkteigenschaften SI1922EDH-T1-BE3 SI1913DH-T1-E3 SI1926DL-T1-GE3 SI1967DH-T1-BE3
Artikelnummer SI1922EDH-T1-BE3 SI1913DH-T1-E3 SI1926DL-T1-GE3 SI1967DH-T1-BE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.3A (Ta), 1.3A (Tc) 880mA 370mA 1A (Ta), 1.3A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 60V 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 8V 1.8nC @ 4.5V 1.4nC @ 10V 4nC @ 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - 18.5pF @ 30V 110pF @ 10V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Grundproduktnummer SI1922 SI1913 SI1926 SI1967
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 100µA 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 198mOhm @ 1A, 4.5V 490mOhm @ 880mA, 4.5V 1.4Ohm @ 340mA, 10V 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Leistung - max 740mW (Ta), 1.25W (Tc) 570mW 510mW 740mW (Ta), 1.25W (Tc)

SI1922EDH-T1-BE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI1922EDH-T1-BE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI1922EDH-T1-BE3 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
Datenblätter
Si1922EDH.pdf
Teilnummerierungshandbuch
Low Voltage Ordering Info..pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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