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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI2324DS-T1-GE3
SI2324DS-T1-GE3 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI2324DS-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI2324DS-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI2324DS-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
Si2324DS.pdf
RoHS Status
vorrätig: 134890

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Anzahl

Spezifikation

SI2324DS-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI2324DS-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI2324DS-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.9V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 234mOhm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.4 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A (Tc)  
Grundproduktnummer SI2324  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI2324DS-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI2324DS-T1-GE3 SI2327DS-T1-GE3 SI2323DS-T1 SI2323DS-T1-GE3
Artikelnummer SI2324DS-T1-GE3 SI2327DS-T1-GE3 SI2323DS-T1 SI2323DS-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 200 V 20 V 20 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) 750mW (Ta) 750mW (Ta) 750mW (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.4 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 19 nC @ 4.5 V 19 nC @ 4.5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A (Tc) 380mA (Ta) 3.7A (Ta) 3.7A (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 50 V 510 pF @ 25 V 1020 pF @ 10 V 1020 pF @ 10 V
Grundproduktnummer SI2324 SI2327 SI2323 SI2323
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 234mOhm @ 1.5A, 10V 2.35Ohm @ 500mA, 10V 39mOhm @ 4.7A, 4.5V 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 2.9V @ 250µA 4.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±8V ±8V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®

SI2324DS-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI2324DS-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI2324DS-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
Datenblätter
Si2324DS.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
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