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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI2329DS-T1-GE3
SI2329DS-T1-GE3 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI2329DS-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI2329DS-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI2329DS-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
SI2329DS-T1-GE3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 171350

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Spezifikation

SI2329DS-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI2329DS-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI2329DS-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±5V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.3A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1485 pF @ 4 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc)  
Grundproduktnummer SI2329  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI2329DS-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI2329DS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 SI2331DS-T1-E3
Artikelnummer SI2329DS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 SI2331DS-T1-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.3A, 4.5V 35mOhm @ 5.1A, 4.5V 250mOhm @ 1.5A, 10V 48mOhm @ 3.6A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc) 7.1A (Tc) 1.15A (Ta) 3.2A (Ta)
Vgs (Max) ±5V ±8V ±20V ±8V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V 1.8V, 4.5V 10V 1.8V, 4.5V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 2.5W (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) 730mW (Ta) 710mW (Ta)
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
Grundproduktnummer SI2329 SI2333 SI2328 SI2331
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V 12 V 100 V 12 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1485 pF @ 4 V 1225 pF @ 6 V - 780 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V 25 nC @ 4.5 V 5 nC @ 10 V 14 nC @ 4.5 V
VGS (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA 900mV @ 250µA

SI2329DS-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI2329DS-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI2329DS-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
Datenblätter
SI2329DS-T1-GE3.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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Vishay Siliconix
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