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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI2351DS-T1-E3
SI2351DS-T1-E3 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI2351DS-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI2351DS-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI2351DS-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
Si2351DS.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4950

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Anzahl

Spezifikation

SI2351DS-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI2351DS-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI2351DS-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 2.4A, 4.5V  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.1 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Tc)  
Grundproduktnummer SI2351  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI2351DS-T1-E3.

Produkteigenschaften SI2351DS-T1-E3 SI2343DS-T1-E3 SI2356DS-T1-GE3 SI2347DS-T1-GE3
Artikelnummer SI2351DS-T1-E3 SI2343DS-T1-E3 SI2356DS-T1-GE3 SI2347DS-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.1 nC @ 5 V 21 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 2.4A, 4.5V 53mOhm @ 4A, 10V 51mOhm @ 3.2A, 10V 42mOhm @ 3.8A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Tc) 3.1A (Ta) 4.3A (Tc) 5A (Tc)
Grundproduktnummer SI2351 SI2343 SI2356 SI2347
FET-Merkmal - - - -
Serie - TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 40 V 30 V
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 10 V 540 pF @ 15 V 370 pF @ 20 V 705 pF @ 15 V

SI2351DS-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI2351DS-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI2351DS-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014.pdf
Datenblätter
Si2351DS.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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Vishay Siliconix
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