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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI3590DV-T1-E3
SI3590DV-T1-E3 Image
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SI3590DV-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI3590DV-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI3590DV-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
SI3590DV.pdf
RoHS Status
vorrätig: 88110

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Anzahl

Spezifikation

SI3590DV-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI3590DV-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI3590DV-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-TSOP  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 3A, 4.5V  
Leistung - max 830mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A, 1.7A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer SI3590  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI3590DV-T1-E3.

Produkteigenschaften SI3590DV-T1-E3 SI3588DV-T1-GE3 SI3850ADV-T1-E3 SI3586DV-T1-GE3
Artikelnummer SI3590DV-T1-E3 SI3588DV-T1-GE3 SI3850ADV-T1-E3 SI3586DV-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 450mV @ 250µA (Min) 1.5V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V 7.5nC @ 4.5V 1.4nC @ 4.5V 6nC @ 4.5V
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel, Common Drain N and P-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Grundproduktnummer SI3590 SI3588 SI3850 SI3586
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A, 1.7A 2.5A, 570mA 1.4A, 960mA 2.9A, 2.1A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 3A, 4.5V 80mOhm @ 3A, 4.5V 300mOhm @ 500mA, 4.5V 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 20V 20V 20V
Leistung - max 830mW 830mW, 83mW 1.08W 830mW
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SI3590DV-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI3590DV-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI3590DV-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Datenblätter
SI3590DV.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI3590DV-T1-E3

Vishay Siliconix
32D-SI3590DV-T1-E3

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