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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI3879DV-T1-E3
SI3879DV-T1-E3 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI3879DV-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI3879DV-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI3879DV-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
SI3879DV.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5050

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Anzahl

Spezifikation

SI3879DV-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI3879DV-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI3879DV-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-TSOP  
Serie LITTLE FOOT®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 3.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 3.3W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc)  
Grundproduktnummer SI3879  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI3879DV-T1-E3.

Produkteigenschaften SI3879DV-T1-E3 SI3867DV-T1-E3 SI3867DV-T1-GE3 SI3865DV-T1-E3
Artikelnummer SI3879DV-T1-E3 SI3867DV-T1-E3 SI3867DV-T1-GE3 SI3865DV-T1-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay
Serie LITTLE FOOT® TrenchFET® TrenchFET® -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V -
FET-Merkmal - - - -
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 3.5A, 4.5V 51mOhm @ 5.1A, 4.5V 51mOhm @ 5.1A, 4.5V -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5 nC @ 10 V 11 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 -
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc) 3.9A (Ta) 3.9A (Ta) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 10 V - - -
Supplier Device-Gehäuse 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP -
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1.4V @ 250µA -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Grundproduktnummer SI3879 SI3867 SI3867 -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 3.3W (Tc) 1.1W (Ta) 1.1W (Ta) -

SI3879DV-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI3879DV-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI3879DV-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SI3879DV.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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