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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI3911DV-T1-E3
SI3911DV-T1-E3 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI3911DV-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI3911DV-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI3911DV-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
SI3911DV.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4170

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Anzahl

Spezifikation

SI3911DV-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI3911DV-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI3911DV-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-TSOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145mOhm @ 2.2A, 4.5V  
Leistung - max 830mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.8A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI3911  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI3911DV-T1-E3.

Produkteigenschaften SI3911DV-T1-E3 SI3905DV-T1-E3 SI3932DV-T1-GE3 SI3905DV-T1-GE3
Artikelnummer SI3911DV-T1-E3 SI3905DV-T1-E3 SI3932DV-T1-GE3 SI3905DV-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Supplier Device-Gehäuse 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Serie - TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Grundproduktnummer SI3911 SI3905 SI3932 SI3905
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 8V 30V 8V
Leistung - max 830mW 1.15W 1.4W 1.15W
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - 235pF @ 15V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.8A - 3.7A -
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
VGS (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min) 450mV @ 250µA (Min) 2.2V @ 250µA 450mV @ 250µA (Min)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145mOhm @ 2.2A, 4.5V 125mOhm @ 2.5A, 4.5V 58mOhm @ 3.4A, 10V 125mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V 6nC @ 4.5V 6nC @ 10V 6nC @ 4.5V
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

SI3911DV-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI3911DV-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI3911DV-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014.pdf
Datenblätter
SI3911DV.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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