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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI4004DY-T1-GE3
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SI4004DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI4004DY-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI4004DY-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SI4004DY.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 3700

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Spezifikation

SI4004DY-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI4004DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI4004DY-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.8mOhm @ 11A, 10V  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1280 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer SI4004  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI4004DY-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI4004DY-T1-GE3 SI4010DY-T1-GE3 SI4010C2 SI4010-C2-GSR
Artikelnummer SI4004DY-T1-GE3 SI4010DY-T1-GE3 SI4010C2 SI4010-C2-GSR
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Silicon Power Silicon Labs
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.8mOhm @ 11A, 10V 3.4mOhm @ 15A, 10V - -
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1280 pF @ 10 V 3595 pF @ 15 V - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V 77 nC @ 10 V - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC - 14-SOIC
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 31.3A (Tc) - -
Grundproduktnummer SI4004 SI4010 - SI4010
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.3V @ 250µA - -
Serie - TrenchFET® - EZRadio®

SI4004DY-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI4004DY-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI4004DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014.pdf
Datenblätter
SI4004DY.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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SI4004DY-T1-GE3

Vishay Siliconix
32D-SI4004DY-T1-GE3

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