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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI4202DY-T1-GE3
SI4202DY-T1-GE3 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI4202DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI4202DY-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI4202DY-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SI4202DY.pdf
RoHS Status
vorrätig: 61090

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Anzahl

Spezifikation

SI4202DY-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI4202DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI4202DY-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 8A, 10V  
Leistung - max 3.7W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.1A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI4202  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI4202DY-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI4202DY-T1-GE3 SI4200DY-T1-GE3 SI4204DY-T1-GE3 SI4206-BM
Artikelnummer SI4202DY-T1-GE3 SI4200DY-T1-GE3 SI4204DY-T1-GE3 SI4206-BM
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Silicon Labs
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 25V 20V -
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.4V @ 250µA -
Leistung - max 3.7W 2.8W 3.25W -
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 32-LGA (8x8)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 32-LFLGA Exposed Pad
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.1A 8A 19.8A -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Grundproduktnummer SI4202 SI4200 SI4204 SI4206
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V 12nC @ 10V 45nC @ 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 8A, 10V 25mOhm @ 7.3A, 10V 4.6mOhm @ 10A, 10V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 15V 415pF @ 13V 2110pF @ 10V -
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® -

SI4202DY-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI4202DY-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI4202DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev 07/Jun/2023.pdf New solder paste 26/May/2023.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Datenblätter
SI4202DY.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI4202DY-T1-GE3

Vishay Siliconix
32D-SI4202DY-T1-GE3

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