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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI4340CDY-T1-E3
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SI4340CDY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI4340CDY-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI4340CDY-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 14.1A 14-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SI4340CDY.pdf
RoHS Status
vorrätig: 41547

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Anzahl

Spezifikation

SI4340CDY-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI4340CDY-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI4340CDY-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 14-SOIC  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 11.5A, 10V  
Leistung - max 3W, 5.4W  
Verpackung / Gehäuse 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.1A, 20A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI4340  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI4340CDY-T1-E3.

Produkteigenschaften SI4340CDY-T1-E3 SI4330DY-T1-E3 SI4340DY-T1-E3 SI4340CDY-T1-E3-S
Artikelnummer SI4340CDY-T1-E3 SI4330DY-T1-E3 SI4340DY-T1-E3 SI4340CDY-T1-E3-S
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA -
Verpackung / Gehäuse 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Leistung - max 3W, 5.4W 1.1W 1.14W, 1.43W -
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 10V - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.1A, 20A 6.6A 7.3A, 9.9A -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Supplier Device-Gehäuse 14-SOIC 8-SOIC 14-SOIC -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Grundproduktnummer SI4340 SI4330 SI4340 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 11.5A, 10V 16.5mOhm @ 8.7A, 10V 12mOhm @ 9.6A, 10V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V 20V -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V 20nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V -

SI4340CDY-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI4340CDY-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI4340CDY-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SI4340CDY.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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