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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI4401DY-T1-E3
SI4401DY-T1-E3 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI4401DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI4401DY-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI4401DY-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SI4401DY-T1-E3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5450

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Spezifikation

SI4401DY-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI4401DY-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI4401DY-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 10.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.7A (Ta)  
Grundproduktnummer SI4401  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI4401DY-T1-E3.

Produkteigenschaften SI4401DY-T1-E3 SI4403CDY-T1-GE3 SI4401BDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3
Artikelnummer SI4401DY-T1-E3 SI4403CDY-T1-GE3 SI4401BDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SO
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.7A (Ta) 13.4A (Tc) 8.7A (Ta) 9.9A (Ta), 14A (Tc)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® Gen III
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta) 5W (Tc) 1.5W (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 20 V 40 V 40 V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 3V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 10.5A, 10V 15.5mOhm @ 9A, 4.5V 14mOhm @ 10.5A, 10V 14.2mOhm @ 10A, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max) ±20V ±8V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 5 V 90 nC @ 8 V 55 nC @ 5 V 100 nC @ 10 V
Grundproduktnummer SI4401 SI4403 SI4401 SI4401

SI4401DY-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI4401DY-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI4401DY-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-0632014 16/Apr/2014.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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SI4401DY-T1-E3

Vishay Siliconix
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