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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI4500BDY-T1-GE3
SI4500BDY-T1-GE3 Image
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SI4500BDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI4500BDY-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI4500BDY-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SI4500BDY-T1-GE3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3720

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Anzahl

Spezifikation

SI4500BDY-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI4500BDY-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI4500BDY-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9.1A, 4.5V  
Leistung - max 1.3W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.6A, 3.8A  
Konfiguration N and P-Channel, Common Drain  
Grundproduktnummer SI4500  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI4500BDY-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI4500BDY-T1-GE3 SI4501ADY-T1-E3 SI4501ADY-T1-GE3 SI4500BDY-T1-E3
Artikelnummer SI4500BDY-T1-GE3 SI4501ADY-T1-E3 SI4501ADY-T1-GE3 SI4500BDY-T1-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9.1A, 4.5V 18mOhm @ 8.8A, 10V 18mOhm @ 8.8A, 10V 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Leistung - max 1.3W 1.3W 1.3W 1.3W
Serie - TrenchFET® TrenchFET® -
Konfiguration N and P-Channel, Common Drain N and P-Channel, Common Drain N and P-Channel, Common Drain N and P-Channel, Common Drain
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V, 8V 30V, 8V 20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Grundproduktnummer SI4500 SI4501 SI4501 SI4500
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V 20nC @ 5V 20nC @ 5V 17nC @ 4.5V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.6A, 3.8A 6.3A, 4.1A 6.3A, 4.1A 6.6A, 3.8A

SI4500BDY-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI4500BDY-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI4500BDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
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