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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI4511DY-T1-E3
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SI4511DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI4511DY-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI4511DY-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SI4511DY.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 3660

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Spezifikation

SI4511DY-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI4511DY-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI4511DY-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 9.6A, 10V  
Leistung - max 1.1W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.2A, 4.6A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer SI4511  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI4511DY-T1-E3.

Produkteigenschaften SI4511DY-T1-E3 SI4505DY-T1-E3 SI4532ADY-T1-E3 SI4505DY-T1-GE3
Artikelnummer SI4511DY-T1-E3 SI4505DY-T1-E3 SI4532ADY-T1-E3 SI4505DY-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V 20nC @ 5V 16nC @ 10V 20nC @ 5V
Serie - TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 9.6A, 10V 18mOhm @ 7.8A, 10V 53mOhm @ 4.9A, 10V 18mOhm @ 7.8A, 10V
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V, 8V 30V 30V, 8V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.2A, 4.6A 6A, 3.8A 3.7A, 3A 6A, 3.8A
Grundproduktnummer SI4511 SI4505 SI4532 SI4505
VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 1.8V @ 250µA
Leistung - max 1.1W 1.2W 1.13W, 1.2W 1.2W

SI4511DY-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI4511DY-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI4511DY-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014.pdf
Datenblätter
SI4511DY.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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SI4511DY-T1-E3

Vishay Siliconix
32D-SI4511DY-T1-E3

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