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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI4554DY-T1-GE3
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SI4554DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI4554DY-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI4554DY-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
Si4554DY.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 88600

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Spezifikation

SI4554DY-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI4554DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI4554DY-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6.8A, 10V  
Leistung - max 3.1W, 3.2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 690pF @ 20V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer SI4554  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI4554DY-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI4554DY-T1-GE3 SI4542DY-T1-E3 SI4559ADY-T1-E3 SI4559ADY-T1-GE3
Artikelnummer SI4554DY-T1-GE3 SI4542DY-T1-E3 SI4559ADY-T1-E3 SI4559ADY-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V 30V 60V 60V
Leistung - max 3.1W, 3.2W 2W 3.1W, 3.4W 3.1W, 3.4W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 50nC @ 10V 20nC @ 10V 20nC @ 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 3V @ 250µA 3V @ 250µA
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6.8A, 10V 25mOhm @ 6.9A, 10V 58mOhm @ 4.3A, 10V 58mOhm @ 4.3A, 10V
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A - 5.3A, 3.9A 5.3A, 3.9A
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer SI4554 SI4542 SI4559 SI4559
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 690pF @ 20V - 665pF @ 15V 665pF @ 15V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

SI4554DY-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI4554DY-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI4554DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Datenblätter
Si4554DY.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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  1. Telefon
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SI4554DY-T1-GE3

Vishay Siliconix
32D-SI4554DY-T1-GE3

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