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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI4830CDY-T1-E3
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Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI4830CDY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI4830CDY-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI4830CDY-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SI4830CDY.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3700

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Anzahl

Spezifikation

SI4830CDY-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI4830CDY-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI4830CDY-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie LITTLE FOOT®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V  
Leistung - max 2.9W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A  
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Grundproduktnummer SI4830  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI4830CDY-T1-E3.

Produkteigenschaften SI4830CDY-T1-E3 SI4830CDY-T1-GE3 SI4830ADY-T1-E3 SI4830DY
Artikelnummer SI4830CDY-T1-E3 SI4830CDY-T1-GE3 SI4830ADY-T1-E3 SI4830DY
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 15V 950pF @ 15V - -
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) -
Serie LITTLE FOOT® LITTLE FOOT® LITTLE FOOT® -
Leistung - max 2.9W 2.9W 1.1W -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A 8A 5.7A -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V 20mOhm @ 8A, 10V 22mOhm @ 7.5A, 10V -
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 250µA -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 25nC @ 10V 11nC @ 4.5V -
Grundproduktnummer SI4830 SI4830 SI4830 -
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

SI4830CDY-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI4830CDY-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI4830CDY-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018.pdf
Datenblätter
SI4830CDY.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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