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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI4936ADY-T1-E3
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Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI4936ADY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI4936ADY-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI4936ADY-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SI4936ADY.pdf
RoHS Status
vorrätig: 30880

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Anzahl

Spezifikation

SI4936ADY-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI4936ADY-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI4936ADY-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 5.9A, 10V  
Leistung - max 1.1W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.4A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI4936  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI4936ADY-T1-E3.

Produkteigenschaften SI4936ADY-T1-E3 SI4936CDY-T1-E3 SI4936BDY-T1-E3 SI4936CDY-T1-GE3
Artikelnummer SI4936ADY-T1-E3 SI4936CDY-T1-E3 SI4936BDY-T1-E3 SI4936CDY-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.4A 5.8A 6.9A 5.8A
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - 325pF @ 15V 530pF @ 15V 325pF @ 15V
Leistung - max 1.1W 2.3W 2.8W 2.3W
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 5.9A, 10V 40mOhm @ 5A, 10V 35mOhm @ 5.9A, 10V 40mOhm @ 5A, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 9nC @ 10V 15nC @ 10V 9nC @ 10V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Grundproduktnummer SI4936 SI4936 SI4936 SI4936

SI4936ADY-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI4936ADY-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI4936ADY-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Datenblätter
SI4936ADY.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
32D-SI4936ADY-T1-E3

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