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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI4947ADY-T1-E3
SI4947ADY-T1-E3 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI4947ADY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI4947ADY-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI4947ADY-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SI4947ADY.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4790

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Anzahl

Spezifikation

SI4947ADY-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI4947ADY-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI4947ADY-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.9A, 10V  
Leistung - max 1.2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI4947  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI4947ADY-T1-E3.

Produkteigenschaften SI4947ADY-T1-E3 SI4946CDY-T1-GE3 SI4947ADY-T1-GE3 SI4947DY-T1
Artikelnummer SI4947ADY-T1-E3 SI4946CDY-T1-GE3 SI4947ADY-T1-GE3 SI4947DY-T1
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) 3A -
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® -
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate -
Grundproduktnummer SI4947 SI4946 SI4947 -
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SO 8-SOIC -
Leistung - max 1.2W 2W (Ta), 2.8W (Tc) 1.2W -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) 3V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.9A, 10V 40.9mOhm @ 5.2A, 10V 80mOhm @ 3.9A, 10V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - 350pF @ 30V - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 60V 30V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 5V 10nC @ 10V 8nC @ 5V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -

SI4947ADY-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI4947ADY-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI4947ADY-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014.pdf
Datenblätter
SI4947ADY.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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