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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI5441BDC-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI5441BDC-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI5441BDC-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI5441BDC-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
SI5441BDC-T1-E3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 55050

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Anzahl

Spezifikation

SI5441BDC-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI5441BDC-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI5441BDC-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 1206-8 ChipFET™  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4.4A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.4A (Ta)  
Grundproduktnummer SI5441  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI5441BDC-T1-E3.

Produkteigenschaften SI5441BDC-T1-E3 SI5441BDC-T1-GE3 SI5441DC-T1-E3 SI5435BDC-T1-GE3
Artikelnummer SI5441BDC-T1-E3 SI5441BDC-T1-GE3 SI5441DC-T1-E3 SI5435BDC-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V 22 nC @ 4.5 V 22 nC @ 4.5 V 24 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 30 V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4.4A, 4.5V 45mOhm @ 4.4A, 4.5V 55mOhm @ 3.9A, 4.5V 45mOhm @ 4.3A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer SI5441 SI5441 SI5441 SI5435
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1.4V @ 250µA 3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.4A (Ta) 4.4A (Ta) 3.9A (Ta) 4.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)

SI5441BDC-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI5441BDC-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI5441BDC-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Epoxy Materials 07/Jan/2022.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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