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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI5461EDC-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI5461EDC-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI5461EDC-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI5461EDC-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 4.5A 1206-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
SI5461EDC.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5040

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Anzahl

Spezifikation

SI5461EDC-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI5461EDC-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI5461EDC-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 1206-8 ChipFET™  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Ta)  
Grundproduktnummer SI5461  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI5461EDC-T1-E3.

Produkteigenschaften SI5461EDC-T1-E3 SI5461EDC-T1-GE3 SI5468DC-T1-GE3 SI5463EDC-T1-E3
Artikelnummer SI5461EDC-T1-E3 SI5461EDC-T1-GE3 SI5468DC-T1-GE3 SI5463EDC-T1-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 30 V 20 V
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5A, 4.5V 45mOhm @ 5A, 4.5V 28mOhm @ 6.8A, 10V 62mOhm @ 4A, 4.5V
Serie - - TrenchFET® -
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V 20 nC @ 4.5 V 12 nC @ 10 V 15 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±12V ±12V ±20V ±12V
Grundproduktnummer SI5461 SI5461 SI5468 SI5463
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Ta) 4.5A (Ta) 6A (Tc) 3.8A (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™
VGS (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min) 450mV @ 250µA (Min) 2.5V @ 250µA 450mV @ 250µA (Min)
Verlustleistung (max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) 1.25W (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

SI5461EDC-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI5461EDC-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI5461EDC-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013.pdf
Datenblätter
SI5461EDC.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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