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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI6404DQ-T1-E3
SI6404DQ-T1-E3 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI6404DQ-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI6404DQ-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI6404DQ-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Datenblatt
SI6404DQ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4990

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Anzahl

Spezifikation

SI6404DQ-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI6404DQ-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI6404DQ-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 11A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.08W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.6A (Ta)  
Grundproduktnummer SI6404  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI6404DQ-T1-E3.

Produkteigenschaften SI6404DQ-T1-E3 SI6415DQ-T1-E3 SI6410DQ-T1-E3 SI6410DQ-T1-GE3
Artikelnummer SI6404DQ-T1-E3 SI6415DQ-T1-E3 SI6410DQ-T1-E3 SI6410DQ-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 11A, 10V 19mOhm @ 6.5A, 10V 14mOhm @ 7.8A, 10V 14mOhm @ 7.8A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.6A (Ta) 6.5A (Ta) 7.8A (Ta) 7.8A (Ta)
Grundproduktnummer SI6404 SI6415 SI6410 SI6410
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 4.5 V 70 nC @ 10 V 33 nC @ 5 V 33 nC @ 5 V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 1.08W (Ta) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

SI6404DQ-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI6404DQ-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI6404DQ-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
Datenblätter
SI6404DQ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI6404DQ-T1-E3

Vishay Siliconix
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