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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI6562CDQ-T1-GE3
SI6562CDQ-T1-GE3 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI6562CDQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI6562CDQ-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI6562CDQ-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Datenblatt
SI6562CDQ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 88520

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Anzahl

Spezifikation

SI6562CDQ-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI6562CDQ-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI6562CDQ-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 5.7A, 4.5V  
Leistung - max 1.6W, 1.7W  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.7A, 6.1A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer SI6562  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI6562CDQ-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI6562CDQ-T1-GE3 SI6544BDQ-T1-E3 SI6544BDQ-T1-GE3 SI6562DQ-T1-GE3
Artikelnummer SI6562CDQ-T1-GE3 SI6544BDQ-T1-E3 SI6544BDQ-T1-GE3 SI6562DQ-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V 30V 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 5.7A, 4.5V 43mOhm @ 3.8A, 10V 43mOhm @ 3.8A, 10V 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 10V - - -
Grundproduktnummer SI6562 SI6544 SI6544 SI6562
Leistung - max 1.6W, 1.7W 830mW 830mW 1W
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V 15nC @ 10V 15nC @ 10V 25nC @ 4.5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.7A, 6.1A 3.7A, 3.8A 3.7A, 3.8A -
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

SI6562CDQ-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI6562CDQ-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI6562CDQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Epoxy Materials 07/Jan/2022.pdf
Datenblätter
SI6562CDQ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
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