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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI7220DN-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI7220DN-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI7220DN-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI7220DN-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® 1212-8 Dual
Datenblatt
SI7220DN-T1-E3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 39770

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Anzahl

Spezifikation

SI7220DN-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI7220DN-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI7220DN-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Dual  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.8A, 10V  
Leistung - max 1.3W  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Dual  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.4A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI7220  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI7220DN-T1-E3.

Produkteigenschaften SI7220DN-T1-E3 SI7223DN-T1-GE3 SI7224DN-T1-E3 SI7218DN-T1-GE3
Artikelnummer SI7220DN-T1-E3 SI7223DN-T1-GE3 SI7224DN-T1-E3 SI7218DN-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.8A, 10V 26.4mOhm @ 8A, 10V 35mOhm @ 6.5A, 10V 25mOhm @ 8A, 10V
Leistung - max 1.3W 2.6W (Ta), 23W (Tc) 17.8W, 23W 23W
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate -
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual
Serie TrenchFET® TrenchFET® Gen III TrenchFET® TrenchFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 30V 30V 30V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer SI7220 SI7223 SI7224 SI7218
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 40nC @ 10V 14.5nC @ 10V 17nC @ 10V
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.4A 6A (Tc) 6A 24A
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - 1425pF @ 15V 570pF @ 15V 700pF @ 15V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

SI7220DN-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI7220DN-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI7220DN-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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