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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI7288DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI7288DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI7288DP-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI7288DP-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt
SI7288DP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 66790

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Anzahl

Spezifikation

SI7288DP-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI7288DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI7288DP-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 10A, 10V  
Leistung - max 15.6W  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 565pF @ 20V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI7288  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI7288DP-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI7288DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 SI7234DP-T1-GE3 SI7272DP-T1-GE3
Artikelnummer SI7288DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 SI7234DP-T1-GE3 SI7272DP-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 10A, 10V 18mOhm @ 15A, 10V 3.4mOhm @ 20A, 4.5V 9.3mOhm @ 15A, 10V
FET-Merkmal - Logic Level Gate - Logic Level Gate
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V 27nC @ 10V 120nC @ 10V 26nC @ 10V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer SI7288 SI7252 SI7234 SI7272
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 565pF @ 20V 1170pF @ 50V 5000pF @ 6V 1100pF @ 15V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A 36.7A 60A 25A
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA 3.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V 100V 12V 30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Leistung - max 15.6W 46W 46W 22W
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

SI7288DP-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI7288DP-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI7288DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev 07/Jun/2023.pdf New solder paste 26/May/2023.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Datenblätter
SI7288DP.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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