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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI7413DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI7413DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI7413DN-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI7413DN-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® 1212-8
Datenblatt
SI7413DN-T1-GE3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3850

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Anzahl

Spezifikation

SI7413DN-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI7413DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI7413DN-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 400µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 13.2A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.4A (Ta)  
Grundproduktnummer SI7413  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI7413DN-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI7413DN-T1-GE3 SI7414DN-T1-GE3 SI7411DN-T1-GE3 SI7407DN-T1-GE3
Artikelnummer SI7413DN-T1-GE3 SI7414DN-T1-GE3 SI7411DN-T1-GE3 SI7407DN-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 4.5 V 25 nC @ 10 V 41 nC @ 4.5 V 59 nC @ 4.5 V
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 400µA 3V @ 250µA 1V @ 300µA 1V @ 400µA
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Vgs (Max) ±8V ±20V ±8V ±8V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 60 V 20 V 12 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.4A (Ta) 5.6A (Ta) 7.5A (Ta) 9.9A (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 13.2A, 4.5V 25mOhm @ 8.7A, 10V 19mOhm @ 11.4A, 4.5V 12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer SI7413 SI7414 SI7411 SI7407

SI7413DN-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI7413DN-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI7413DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-0632014 16/Apr/2014.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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