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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI7483ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI7483ADP-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI7483ADP-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI7483ADP-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SO-8
Datenblatt
Si7483ADP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5460

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Anzahl

Spezifikation

SI7483ADP-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI7483ADP-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI7483ADP-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 24A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.9W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta)  
Grundproduktnummer SI7483  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI7483ADP-T1-E3.

Produkteigenschaften SI7483ADP-T1-E3 SI7485DP-T1-GE3 SI7489DP-T1-E3 SI7478DP-T1-E3
Artikelnummer SI7483ADP-T1-E3 SI7485DP-T1-GE3 SI7489DP-T1-E3 SI7478DP-T1-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Serie TrenchFET® - TrenchFET® TrenchFET®
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 900mV @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V 100 V 60 V
Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 150 nC @ 5 V 160 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 24A, 10V 7.3mOhm @ 20A, 4.5V 41mOhm @ 7.8A, 10V 7.5mOhm @ 20A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta) 12.5A (Ta) 28A (Tc) 15A (Ta)
Grundproduktnummer SI7483 SI7485 SI7489 SI7478
Verlustleistung (max) 1.9W (Ta) - 5.2W (Ta), 83W (Tc) 1.9W (Ta)

SI7483ADP-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI7483ADP-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI7483ADP-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014.pdf
Datenblätter
Si7483ADP.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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