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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI7501DN-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI7501DN-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI7501DN-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI7501DN-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® 1212-8 Dual
Datenblatt
Si7501DN.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5010

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Anzahl

Spezifikation

SI7501DN-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI7501DN-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI7501DN-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Dual  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 7.7A, 10V  
Leistung - max 1.6W  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Dual  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.4A, 4.5A  
Konfiguration N and P-Channel, Common Drain  
Grundproduktnummer SI7501  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI7501DN-T1-E3.

Produkteigenschaften SI7501DN-T1-E3 SI7501DN-T1-GE3 SI7530DP-T1-E3 SI7540DP-T1-GE3
Artikelnummer SI7501DN-T1-E3 SI7501DN-T1-GE3 SI7530DP-T1-E3 SI7540DP-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V 14nC @ 10V 20nC @ 10V 17nC @ 4.5V
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 7.7A, 10V 35mOhm @ 7.7A, 10V 75mOhm @ 4.6A, 10V 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 60V 12V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.4A, 4.5A 5.4A, 4.5A 3A, 3.2A 7.6A, 5.7A
Grundproduktnummer SI7501 SI7501 SI7530 SI7540
Leistung - max 1.6W 1.6W 1.4W, 1.5W 1.4W
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Konfiguration N and P-Channel, Common Drain N and P-Channel, Common Drain N and P-Channel N and P-Channel
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
Serie - - - TrenchFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA

SI7501DN-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI7501DN-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI7501DN-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Obs 29/Dec/2015.pdf
Datenblätter
Si7501DN.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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