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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI7802DN-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI7802DN-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI7802DN-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI7802DN-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® 1212-8
Datenblatt
SI7802DN.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3890

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Anzahl

Spezifikation

SI7802DN-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI7802DN-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI7802DN-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 435mOhm @ 1.95A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.24A (Ta)  
Grundproduktnummer SI7802  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI7802DN-T1-E3.

Produkteigenschaften SI7802DN-T1-E3 SI7790DP-T1-GE3 SI7802DN-T1-GE3 SI7794DP-T1-GE3
Artikelnummer SI7802DN-T1-E3 SI7790DP-T1-GE3 SI7802DN-T1-GE3 SI7794DP-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
VGS (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3.6V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.24A (Ta) 50A (Tc) 1.24A (Ta) 28.6A (Ta), 60A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® SO-8
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta) 5.2W (Ta), 69W (Tc) 1.5W (Ta) 5W (Ta), 48W (Tc)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® SO-8
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 40 V 250 V 30 V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® SkyFET®, TrenchFET® Gen III
Grundproduktnummer SI7802 SI7790 SI7802 SI7794
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 435mOhm @ 1.95A, 10V 4.5mOhm @ 15A, 10V 435mOhm @ 1.95A, 10V 3.4mOhm @ 20A, 10V
FET-Merkmal - - - Schottky Diode (Body)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V

SI7802DN-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI7802DN-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI7802DN-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013.pdf
Datenblätter
SI7802DN.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
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Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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