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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI7840BDP-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI7840BDP-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI7840BDP-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI7840BDP-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SO-8
Datenblatt
SI7840BDP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4870

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Anzahl

Spezifikation

SI7840BDP-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI7840BDP-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI7840BDP-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 16.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta)  
Grundproduktnummer SI7840  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI7840BDP-T1-E3.

Produkteigenschaften SI7840BDP-T1-E3 SI7820DN-T1-E3 SI7818DN-T1-E3 SI7818DN-T1-GE3
Artikelnummer SI7840BDP-T1-E3 SI7820DN-T1-E3 SI7818DN-T1-E3 SI7818DN-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta) 1.7A (Ta) 2.2A (Ta) 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 16.5A, 10V 240mOhm @ 2.6A, 10V 135mOhm @ 3.4A, 10V 135mOhm @ 3.4A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 200 V 150 V 150 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta)
Grundproduktnummer SI7840 SI7820 SI7818 SI7818
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 4.5 V 18 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -

SI7840BDP-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI7840BDP-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI7840BDP-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-0392016 16/Dec/2016.pdf
Datenblätter
SI7840BDP.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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