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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI7858ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI7858ADP-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI7858ADP-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI7858ADP-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SO-8
Datenblatt
SI7858ADP-T1-E3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 27859

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Anzahl

Spezifikation

SI7858ADP-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI7858ADP-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI7858ADP-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 29A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.9W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 6 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta)  
Grundproduktnummer SI7858  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI7858ADP-T1-E3.

Produkteigenschaften SI7858ADP-T1-E3 SI7860ADP-T1-E3 SI7856ADP-T1-E3 SI7860ADP-T1-GE3
Artikelnummer SI7858ADP-T1-E3 SI7860ADP-T1-E3 SI7856ADP-T1-E3 SI7860ADP-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Vgs (Max) ±8V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 4.5 V 18 nC @ 4.5 V 55 nC @ 4.5 V 18 nC @ 4.5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 6 V - - -
Grundproduktnummer SI7858 SI7860 SI7856 SI7860
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V 30 V 30 V 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta) 11A (Ta) 15A (Ta) 11A (Ta)
Verlustleistung (max) 1.9W (Ta) 1.8W (Ta) 1.9W (Ta) 1.8W (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 29A, 4.5V 9.5mOhm @ 16A, 10V 3.7mOhm @ 25A, 10V 9.5mOhm @ 16A, 10V

SI7858ADP-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI7858ADP-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI7858ADP-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev 07/Jun/2023.pdf New solder paste 26/May/2023.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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