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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI7882DP-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI7882DP-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI7882DP-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI7882DP-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SO-8
Datenblatt
SI7882DP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4360

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Anzahl

Spezifikation

SI7882DP-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI7882DP-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI7882DP-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 17A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.9W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta)  
Grundproduktnummer SI7882  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI7882DP-T1-E3.

Produkteigenschaften SI7882DP-T1-E3 SI7886ADP-T1-E3 SI7880ADP-T1-E3 SI7884BDP-T1-GE3
Artikelnummer SI7882DP-T1-E3 SI7886ADP-T1-E3 SI7880ADP-T1-E3 SI7884BDP-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta) 15A (Ta) 40A (Tc) 58A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V 30 V 30 V 40 V
Grundproduktnummer SI7882 SI7886 SI7880 SI7884
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 1.9W (Ta) 1.9W (Ta) 5.4W (Ta), 83W (Tc) 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 17A, 4.5V 4mOhm @ 25A, 10V 3mOhm @ 20A, 10V 7.5mOhm @ 16A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V 60 nC @ 4.5 V 125 nC @ 10 V 77 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±8V ±12V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA

SI7882DP-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI7882DP-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI7882DP-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014.pdf
Datenblätter
SI7882DP.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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