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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI7888DP-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI7888DP-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI7888DP-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI7888DP-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SO-8
Datenblatt
SI7888DP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5080

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Anzahl

Spezifikation

SI7888DP-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI7888DP-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI7888DP-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 12.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.4A (Ta)  
Grundproduktnummer SI7888  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI7888DP-T1-E3.

Produkteigenschaften SI7888DP-T1-E3 SI7892BDP-T1-GE3 SI7888DP-T1-GE3 SI7886ADP-T1-E3
Artikelnummer SI7888DP-T1-E3 SI7892BDP-T1-GE3 SI7888DP-T1-GE3 SI7886ADP-T1-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.4A (Ta) 15A (Ta) 9.4A (Ta) 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 12.4A, 10V 4.2mOhm @ 25A, 10V 12mOhm @ 12.4A, 10V 4mOhm @ 25A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Grundproduktnummer SI7888 SI7892 SI7888 SI7886
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.9W (Ta)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 5 V 40 nC @ 4.5 V 10.5 nC @ 5 V 60 nC @ 4.5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs (Max) ±12V ±20V ±12V ±12V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

SI7888DP-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI7888DP-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI7888DP-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013.pdf
Datenblätter
SI7888DP.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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