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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI7904BDN-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI7904BDN-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI7904BDN-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI7904BDN-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® 1212-8 Dual
Datenblatt
SI7904BDN-T1-E3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 53930

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Anzahl

Spezifikation

SI7904BDN-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI7904BDN-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI7904BDN-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Dual  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7.1A, 4.5V  
Leistung - max 17.8W  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Dual  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 860pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 8V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI7904  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI7904BDN-T1-E3.

Produkteigenschaften SI7904BDN-T1-E3 SI7901EDN-T1-E3 SI7904DN-T1-E3 SI7900AEDN-T1-GE3
Artikelnummer SI7904BDN-T1-E3 SI7901EDN-T1-E3 SI7904DN-T1-E3 SI7900AEDN-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A 4.3A 5.3A 6A
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 800µA 1V @ 935µA 900mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 8V 18nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V 16nC @ 4.5V
Grundproduktnummer SI7904 SI7901 SI7904 SI7900
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 860pF @ 10V - - -
Leistung - max 17.8W 1.3W 1.3W 1.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7.1A, 4.5V 48mOhm @ 6.3A, 4.5V 30mOhm @ 7.7A, 4.5V 26mOhm @ 8.5A, 4.5V

SI7904BDN-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI7904BDN-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI7904BDN-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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