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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI7942DP-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI7942DP-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI7942DP-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI7942DP-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt
Si7942DP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 24565

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Anzahl

Spezifikation

SI7942DP-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI7942DP-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI7942DP-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 5.9A, 10V  
Leistung - max 1.4W  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI7942  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI7942DP-T1-E3.

Produkteigenschaften SI7942DP-T1-E3 SI7946DP-T1-E3 SI7945DP-T1-GE3 SI7942DP-T1-GE3
Artikelnummer SI7942DP-T1-E3 SI7946DP-T1-E3 SI7945DP-T1-GE3 SI7942DP-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V 150V 30V 100V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A 2.1A 7A 3.8A
Leistung - max 1.4W 1.4W 1.4W 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 5.9A, 10V 150mOhm @ 3.3A, 10V 20mOhm @ 10.9A, 10V 49mOhm @ 5.9A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V 20nC @ 10V 74nC @ 10V 24nC @ 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Grundproduktnummer SI7942 SI7946 SI7945 SI7942

SI7942DP-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI7942DP-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI7942DP-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Datenblätter
Si7942DP.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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