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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI7980DP-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI7980DP-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI7980DP-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI7980DP-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt
SI7980DP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4580

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Anzahl

Spezifikation

SI7980DP-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI7980DP-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI7980DP-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 5A, 10V  
Leistung - max 19.8W, 21.9W  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1010pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A  
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Grundproduktnummer SI7980  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI7980DP-T1-E3.

Produkteigenschaften SI7980DP-T1-E3 SI7998DP-T1-GE3 SI7958DP-T1-E3 SI7960DP-T1-E3
Artikelnummer SI7980DP-T1-E3 SI7998DP-T1-GE3 SI7958DP-T1-E3 SI7960DP-T1-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1010pF @ 10V 1100pF @ 15V - -
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 5A, 10V 9.3mOhm @ 15A, 10V 16.5mOhm @ 11.3A, 10V 21mOhm @ 9.7A, 10V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V 40V 60V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer SI7980 SI7998 SI7958 SI7960
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V 26nC @ 10V 75nC @ 10V 75nC @ 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A 25A, 30A 7.2A 6.2A
Leistung - max 19.8W, 21.9W 22W, 40W 1.4W 1.4W
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA

SI7980DP-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI7980DP-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI7980DP-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SI7980DP.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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